Предстоящий Snapdragon 8 Gen 3, как почти подтверждено, будет производиться на технологическом узле TSMC N4P, что ставит его в теоретическое невыгодное положение по сравнению с A17 Bionic на базе TSMC N3B. Однако в следующем году ситуация может стать более сложной, если недавний твит инсайдера окажется точным.

Судя по всему, Qualcomm планирует использовать Snapdragon 8 Gen 4 с двумя источниками. Один вариант SoC, вероятно, предназначенный для общего использования, будет производиться на TSMC N3E. С другой стороны, Snapdragon 8 Gen 4 для Galaxy, его версия только для Samsung, будет производиться на узле 3GAP Samsung Foundries. Интересно, что чип Dream Team, он же Exynos 2500, как ожидается, тоже пойдет по его стопам.

Хотя OEM-производители нередко получают чипы от двух разных литейных заводов, последовала катастрофа (помните Chipgate?), когда Apple однажды попробовала это с A9 в 2015 году. повлияло на этот раз. Тем не менее, будет интересно посмотреть, как два варианта Snapdragon 8 Gen 4 покажут себя друг другу в реальном мире.

Менее чем блестящий послужной список Samsung Foundries позволяет легко отвергать их продукты как некачественные. Тем не менее, его транзисторная конструкция с затвором может помочь преодолеть огромный разрыв в производительности / тепле / эффективности между предложениями TSMC с аналогичными характеристиками. Это, в сочетании с новыми ядрами процессора Nuvia Snapdragon 8 Gen 4 и поддержкой внешнего dGPU, может дать ему столь необходимое конкурентное преимущество, чтобы конкурировать с Apple.