Согласно отчету Semiconductor Engineering, компания Samsung Electronics нацелилась на лидерство в развивающейся области 3D DRAM. Это стратегическое решение, огласившееся на конференции Memcon 2024, подчеркивает компанию Samsung в плане преодоления ограничений традиционных конструкций памяти, особенно в условиях стремительного уменьшения размеров чипов.

Samsung представила две ключевые технологии для 3D DRAM на выставке Memcon 2024: транзисторы с вертикальным каналом и многоуровневую DRAM. Транзисторы с вертикальным каналом представляют собой значительный сдвиг в конструкции, переводя канал тока с горизонтального на вертикальный, что позволяет существенно уменьшить занимаемую площадь транзистора. Однако этот подход требует более высокой точности процесса травления.

Составная DRAM, напротив, использует вертикальное измерение (ось Z) для укладки нескольких слоев ячеек памяти в один чип, в отличие от традиционной 2D DRAM, работающей только на горизонтальной плоскости. Это позволяет значительно увеличить емкость кристалла до более чем 100 ГБ, преодолевая текущие ограничения.

Эти разработки являются частью стратегии Samsung по расширению возможностей памяти для различных приложений, включая центры обработки данных, бытовую электронику и новые технологии, такие как искусственный интеллект и сети 5G.

К 2028 году ожидается, что рынок 3D DRAM достигнет 100 миллиардов долларов. Для укрепления своего лидерства Samsung создала специальную исследовательскую лабораторию 3D DRAM в Кремниевой долине, привлекая лучшие таланты и ускоряя исследования и разработки. Samsung также изучает технологию MUF для производства DRAM следующего поколения для серверов.

Амбиции Samsung в области 3D DRAM открывают новую эру технологий памяти, которая может изменить пейзаж электронных устройств в ближайшие годы. Соперничество в этой области будет усиливаться, но благодаря раннему старту и научной активности Samsung имеет хорошие шансы на лидерство в революции 3D DRAM.